सिंगल चैनल इलेक्ट्रोकेमिकल वर्कस्टेशन
इस टीओबी {{0} CS350M सिंगल {{2} चैनल पोटेंशियोस्टेट / गैल्वेनोस्टेट / इलेक्ट्रोकेमिकल वर्कस्टेशन में डीडीएस मनमाना फ़ंक्शन जनरेटर, हाई पावर पोटेंशियोस्टेट / गैल्वेनोस्टेट, डुअल {{3} चैनल सहसंबंध विश्लेषक, डुअल {{4} चैनल हाई {{5} स्पीड 16 बिट / हाई {{7} सटीक 24 बिट एडी कनवर्टर और एक्सटेंशन इंटरफेस शामिल हैं। अधिकतम. धारा ±2A है, संभावित सीमा ±10V है। EIS फ़्रीक्वेंसी रेंज 10uHz~1MHz है। इसका उपयोग विभिन्न इलेक्ट्रोकेमिकल क्षेत्रों जैसे संक्षारण, ऊर्जा, सामग्री और इलेक्ट्रोएनालिसिस के लिए किया जा सकता है। करंट बूस्टर CS2020B/CS2040B के साथ करंट को 20A/40A तक बढ़ाया जा सकता है।
सिंगल चैनल इलेक्ट्रोकेमिकल वर्कस्टेशन
विनिर्देश
इस टीओबी {{0} CS350M सिंगल {{2} चैनल पोटेंशियोस्टेट / गैल्वेनोस्टेट / इलेक्ट्रोकेमिकल वर्कस्टेशन में डीडीएस मनमाना फ़ंक्शन जनरेटर, हाई पावर पोटेंशियोस्टेट / गैल्वेनोस्टेट, डुअल {{3} चैनल सहसंबंध विश्लेषक, डुअल {{4} चैनल हाई {{5} स्पीड 16 बिट / हाई {{7} सटीक 24 बिट एडी कनवर्टर और एक्सटेंशन इंटरफेस शामिल हैं। अधिकतम. धारा ±2A है, संभावित सीमा ±10V है। EIS फ़्रीक्वेंसी रेंज 10uHz~1MHz है। इसका उपयोग विभिन्न इलेक्ट्रोकेमिकल क्षेत्रों जैसे संक्षारण, ऊर्जा, सामग्री और इलेक्ट्रोएनालिसिस के लिए किया जा सकता है। करंट बूस्टर CS2020B/CS2040B के साथ करंट को 20A/40A तक बढ़ाया जा सकता है।
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विशेष विवरण |
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2-, 3- या 4-इलेक्ट्रोड प्रणाली का समर्थन करें |
संभावित और वर्तमान सीमा: स्वचालित |
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संभावित नियंत्रण सीमा: ±10V |
वर्तमान नियंत्रण सीमा: ±2A |
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संभावित नियंत्रण सटीकता: 0.1%×पूर्ण रेंज±1mV |
वर्तमान नियंत्रण सटीकता: 0.1%×पूर्ण सीमा |
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Potential resolution: 10μV (>100 हर्ट्ज), 3μV (<10Hz) |
वर्तमान संवेदनशीलता:1pA |
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वृद्धि समय:<1μs (<10mA), <10μs (<2A) |
संदर्भ इलेक्ट्रोड इनपुट प्रतिबाधा:1012Ω||20pF |
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वर्तमान सीमा: 2nA~2A, 10 रेंज |
अनुपालन वोल्टेज: ±21V |
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अधिकतम वर्तमान आउटपुट: 2A |
सीवी और एलएसवी स्कैन दर: 0.001mV~10,000V/s |
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सीए और सीसी पल्स चौड़ाई: 0.0001~65,000s |
स्कैन के दौरान वर्तमान वृद्धि: 1mA@1A/ms |
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स्कैन के दौरान संभावित वृद्धि: 0.076mV@1V/ms |
SWV आवृत्ति: 0.001~100 kHz |
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डीपीवी और एनपीवी पल्स चौड़ाई: 0.0001~1000s |
एडी डेटा अधिग्रहण: 16 बिट@1 मेगाहर्ट्ज, 20बिट@1 किलोहर्ट्ज |
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डीए रिज़ॉल्यूशन: 16 बिट, सेटअप समय: 1μs |
सीवी में न्यूनतम संभावित वृद्धि: 0.075mV |
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छोटा सा भूत आवृत्ति: 10μHz~1MHz |
कम -पास फ़िल्टर: 8-दशक को कवर करते हुए |
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ऑपरेटिंग सिस्टम: विंडोज़ 10/11 |
इंटरफ़ेस: यूएसबी 2.0 |
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वज़न/माप: 6.5 किग्रा, 36.5 x 30.5 x16 सेमी |
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ईआईएस (इलेक्ट्रोकेमिकल प्रतिबाधा स्पेक्ट्रोस्कोपी) |
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संकेतक उत्पादक |
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फ़्रिक्वेंसी रेंज: 10μHz ~ 1MHz |
एसी आयाम: 1mV~2500mV |
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डीसी पूर्वाग्रह: -10~+10वी |
आउटपुट प्रतिबाधा: 50Ω |
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तरंगरूप: साइन तरंग, त्रिकोणीय तरंग और वर्ग तरंग |
तरंग विरूपण:<1% |
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स्कैनिंग मोड: लघुगणक/रैखिक, वृद्धि/कमी |
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सिग्नल विश्लेषक |
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अभिन्न समय: न्यूनतम:10 एमएस या एक चक्र का सबसे लंबा समय |
अधिकतम:106 चक्र या 105 |
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माप में देरी: 0~105 सेकंड |
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डीसी ऑफसेट मुआवजा |
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संभावित स्वचालित मुआवज़ा रेंज: -10V~+10V |
वर्तमान मुआवज़ा सीमा: -1A~+1A |
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बैंडविड्थ: 8-दशक आवृत्ति रेंज, स्वचालित और मैन्युअल सेटिंग |
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तकनीकें- मॉडलों की तुलना
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TECHNIQUES |
टीओबी-CS300M कोई ईआईएस नहीं |
टीओबी-CS310M ईआईएस के साथ |
टीओबी-CS350M ईआईएस के साथ |
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स्थिर ध्रुवीकरण |
ओपन सर्किट पोटेंशियल (ओसीपी) |
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विभवस्थैतिक (i-t वक्र) |
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गैल्वेनोस्टैटिक |
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पोटेंशियोडायनामिक (टैफेल प्लॉट) |
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गैल्वेनोडायनामिक |
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क्षणिक ध्रुवीकरण |
बहु-संभावित कदम |
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बहु-वर्तमान चरण |
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संभावित सीढ़ी-कदम (VSTEP) |
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गैल्वेनिक सीढ़ी-स्टेप (ISTEP) |
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क्रोनो तरीके |
क्रोनोपोटेंशियोमेट्री (सीपी) |
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क्रोनोएम्परोमेट्री (सीए) |
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क्रोनोकुलोमेट्री (सीसी) |
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voltammetry |
चक्रीय वोल्टामेट्री (सीवी) |
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लीनियर स्वीप वोल्टामेट्री (एलएसवी)(i-v) |
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सीढ़ी वोल्टामेट्री (एससीवी) # |
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स्क्वायर वेव वोल्टामेट्री (एसडब्ल्यूवी) # |
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डिफरेंशियल पल्स वोल्टामेट्री (डीपीवी)# |
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सामान्य पल्स वोल्टामेट्री (एनपीवी)# |
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डिफरेंशियल नॉर्मल पल्स वोल्टामेट्री (डीएनपीवी)# |
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एसी वोल्टामेट्री (एसीवी) # |
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ईआईएस |
पोटेंशियोस्टैटिक ईआईएस (नाइक्विस्ट, बोडे) |
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गैल्वेनोस्टैटिक ईआईएस |
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पोटेंशियोस्टेटिक ईआईएस (वैकल्पिक आवृत्ति) |
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गैल्वनोस्टैटिक ईआईएस (वैकल्पिक आवृत्ति) |
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मॉट-शॉट्की |
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पोटेंशियोस्टैटिक ईआईएस बनाम समय (एकल आवृत्ति) |
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गैल्वेनोस्टैटिक ईआईएस बनाम समय (एकल आवृत्ति) |
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संक्षारण माप |
चक्रीय ध्रुवीकरण वक्र (सीपीपी) |
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रैखिक ध्रुवीकरण वक्र (LPR) |
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इलेक्ट्रोकेमिकल पोटेंशियोकेनेटिक पुनर्सक्रियन (ईपीआर) |
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इलेक्ट्रोकेमिकल शोर (EN) |
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शून्य प्रतिरोध एमीटर (ZRA) |
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बैटरी परीक्षण |
बैटरी चार्ज और डिस्चार्ज |
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गैल्वेनोस्टैटिक चार्ज और डिस्चार्ज (जीसीडी) |
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पोटेंशियोस्टैटिक चार्जिंग और डिस्चार्जिंग (पीसीडी) |
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पोटेंशियोस्टैटिक आंतरायिक अनुमापन तकनीक (PITT) |
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गैल्वेनोस्टैटिक आंतरायिक अनुमापन तकनीक (जीआईटीटी) |
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एम्पेरोमेट्री |
डिफरेंशियल पल्स एम्पेरोमेट्री (डीपीए) |
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डबल डिफरेंशियल पल्स एम्पेरोमेट्री (डीडीपीए) |
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ट्रिपल पल्स एम्पेरोमेट्री (टीपीए) |
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इंटीग्रेटेड पल्स एम्पेरोमेट्रिक डिटेक्शन (आईपीएडी) |
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# संबंधित स्ट्रिपिंग विधियां हैं।
आवेदन
संक्षारण:परीक्षक में संक्षारण माप के लिए सभी इलेक्ट्रोकेमिकल तकनीकें शामिल हैं जैसे ओसीपी, ध्रुवीकरण वक्र (पोटेंशियोडायनामिक), ईआईएस, चक्रीय ध्रुवीकरण सीपीपी (निष्क्रियता वक्र), इलेक्ट्रोकेमिकल पोटेंशियोकिनेटिक रिएक्टिवेशन (ईपीआर), हाइड्रोजन प्रसार परीक्षण, जेडआरए, इलेक्ट्रोकेमिकल शोर इत्यादि। इसका उपयोग धातु संक्षारण तंत्र और संक्षारण प्रतिरोध का अध्ययन करने और कोटिंग स्थायित्व और बलिदान एनोड वर्तमान दक्षता का मूल्यांकन करने के लिए किया जा सकता है। इसका उपयोग संक्षारण अवरोधकों, कवकनाशकों आदि की त्वरित जांच के लिए भी किया जा सकता है।

बाएँ: 3%NaCl घोल में Ti{0}}मिश्र धातु और स्टेनलेस स्टील का ध्रुवीकरण वक्र
दाएँ: 0.05mol/LCl+0.1mol/LNaHCO3 में कम {{0}कार्बन स्टील का EN
यह सहसंबंध इंटीग्रल एल्गोरिथ्म और दोहरे {{0}चैनल ओवर - सैंपलिंग तकनीक का उपयोग करता है, और इसमें मजबूत विरोधी हस्तक्षेप क्षमता है। उपकरण का आंतरिक प्रतिरोध 1013Ω तक है। यह उच्च प्रतिबाधा प्रणाली (जैसे कोटिंग, कंक्रीट आदि) के ईआईएस माप के लिए उपयुक्त है

उच्च प्रतिबाधा कोटिंग का नमक स्प्रे उम्र बढ़ने का परीक्षण
ऊर्जा
एलएसवी, सीवी, गैल्वेनोस्टैटिक चार्ज और डिस्चार्ज (जीसीडी), लगातार क्षमता / वर्तमान ईआईएस, और सटीक आईआर मुआवजा सर्किट तकनीकों के साथ, कोरटेस्ट पोटेंशियोस्टैट्स का व्यापक रूप से सुपरकैपेसिटर, ली {0} आयन बैटरी, सोडियम {{1} आयन बैटरी, ईंधन सेल, ली {2} एस बैटरी, सौर सेल, ठोस {3} राज्य बैटरी, प्रवाह बैटरी, धातु {4} वायु बैटरी आदि में उपयोग किया जाता है। यह ऊर्जा के क्षेत्र में शोधकर्ताओं के लिए एक उत्कृष्ट वैज्ञानिक उपकरण है। सामग्री.

0.5 mol/L H2SO4 घोल में PPy सुपरकैपेसिटर का CV वक्र
इलेक्ट्रोएनालिसिस
कोरटेस्ट पोटेंशियोस्टेट में एनपीवी, डीएनपीवी, एसडब्ल्यूवी, एसीवी जैसी सभी वोल्टामेट्रिक विधियां शामिल हैं, और इसका उपयोग समाधान में ट्रेस तत्वों के तेजी से विश्लेषण के लिए किया जा सकता है। वोल्टामेट्री स्ट्रिपिंग विधियां स्ट्रिपिंग पीक करंट के अनुसार मात्रात्मक विश्लेषण कर सकती हैं।

विभिन्न Pb2+, Cd 2+, Zn2+ सांद्रण के घोल में वोल्टामेट्रिक वक्रों को अलग करना
इलेक्ट्रो-उत्प्रेरण
कोरटेस्ट पोटेंशियोस्टेट उत्प्रेरक की आधी तरंग क्षमता (ओआरआर), अतिक्षमता (एचईआर, ओईआर) को माप सकता है और इसमें शिखर शक्ति घनत्व और ऊर्जा घनत्व गणना का कार्य होता है।
चक्रीय वोल्टामेट्री, पोटेंशियोस्टैटिक, गैल्वेनोस्टैटिक जैसी तकनीकों द्वारा ORR, OER, HER, CO2RR के लिए दीर्घकालिक चक्रीय माप। फैराडे दक्षता को बाइपोटेंटियोस्टैट से मापा जा सकता है।
अधिकतम करंट 20A हो सकता है और अनुपालन वोल्टेज 30V हो सकता है, और IR क्षतिपूर्ति तकनीक के साथ, कॉरटेस्ट पोटेंशियोस्टेट इलेक्ट्रोड की अधिक क्षमता को सटीक रूप से माप सकता है, जो इलेक्ट्रोकैटलिसिस क्षेत्र में एक बड़ा लाभ है।

क्षारीय घोल में उत्प्रेरक का एलएसवी वक्र
सॉफ्टवेयर सुविधाएँ
चक्रीय वोल्टामेट्री:सीएस स्टूडियो सॉफ्टवेयर उपयोगकर्ताओं को एक बहुमुखी स्मूथिंग/डिफरेंशियल/इंटीग्रेशन किट प्रदान करता है, जो सीवी कर्व्स की पीक ऊंचाई, पीक एरिया और पीक क्षमता की गणना को पूरा कर सकता है। सीवी तकनीक में, डेटा विश्लेषण के दौरान, दिखाने के लिए सटीक चक्र का चयन करने का कार्य होता है।
टैफ़ेल प्लॉट और संक्षारण दर:सीएस स्टूडियो ध्रुवीकरण वक्र के बटलर{{1}वोल्मर समीकरण पर शक्तिशाली गैर-{0}}रैखिक फिटिंग भी प्रदान करता है। यह टैफेल ढलान, संक्षारण धारा घनत्व, सीमा धारा, ध्रुवीकरण प्रतिरोध, संक्षारण दर की गणना कर सकता है। यह EN माप के आधार पर पावर स्पेक्ट्रम घनत्व, शोर प्रतिरोध और शोर स्पेक्ट्रम प्रतिरोध की गणना भी कर सकता है।

बैटरी परीक्षण और विश्लेषण:
- चार्ज और डिस्चार्ज दक्षता, क्षमता, विशिष्ट धारिता, चार्ज और डिस्चार्ज ऊर्जा।

ईआईएस विश्लेषण:बोडे, नाइक्विस्ट, मॉट-शोट्की प्लॉट
- ईआईएस डेटा विश्लेषण के दौरान, कस्टम समतुल्य सर्किट खींचने के लिए इन-फिटिंग फ़ंक्शन बनाया गया है।

मानक आपूर्ति-एकल-चैनल पोटेंशियोस्टेट
- साधन यजमान
- सीएस स्टूडियो सॉफ्टवेयर
- पावर केबल x1
- यूएसबी केबल X1
- सेल/इलेक्ट्रोड केबल x2
- डमी सेल(1kΩ||100µF) x1
- नियमावली
उत्पाद प्रदर्शन




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